Photolithography là gì? Photoresist hoạt động thế nào?

Để tạo ra hàng tỷ transistor trên một con chip, nhà sản xuất không thể xử lý toàn bộ bề mặt wafer theo cùng một cách. Họ cần xác định chính xác vùng nào sẽ được khắc, vùng nào cần cấy ion và vùng nào phải được giữ nguyên. Quang khắc (photolithography) là công nghệ giúp tạo ra “bản đồ” đó trên wafer bằng ánh sáng và một lớp vật liệu nhạy sáng gọi là photoresist.

Trong quá trình này, photoresist được phủ thành một lớp mỏng trên wafer. Ánh sáng sau đó truyền mẫu thiết kế từ mặt nạ quang xuống lớp cản quang, làm thay đổi tính chất hóa học tại những vùng được chiếu sáng. Sau bước hiện hình, một phần photoresist được giữ lại và phần còn lại được loại bỏ, tạo thành mẫu bảo vệ cho các công đoạn như khắc hoặc cấy ion phía sau.

Quang khắc vì vậy không trực tiếp “khắc mạch” lên silicon. Vai trò của nó là xác định chính xác nơi công đoạn tiếp theo được phép tác động. Đây cũng là lý do chất lượng của photoresist, độ đồng đều khi phủ, độ chính xác của phơi sáng và điều kiện hiện hình đều có thể ảnh hưởng đến cấu trúc cuối cùng được tạo trên wafer.

I. Quang khắc là gì và nằm ở đâu trong quy trình sản xuất chip?

Quang khắc là quá trình sử dụng ánh sáng để chuyển một mẫu thiết kế xuống lớp vật liệu nhạy sáng trên wafer. Có thể hình dung nguyên lý này gần giống quá trình chụp và in ảnh: một hình ảnh ban đầu được truyền qua hệ quang học rồi tạo lại trên một bề mặt nhạy sáng. Điểm khác biệt là trong sản xuất bán dẫn, mẫu cần tái tạo có kích thước cực nhỏ và phải được căn chỉnh chính xác với nhiều lớp cấu trúc đã được tạo trước đó. TOK cũng mô tả nguyên lý quang khắc theo cách tương tự, trong đó mẫu trên mặt nạ quang được thu nhỏ qua hệ quang học trước khi truyền xuống wafer.

Trong quy trình sản xuất chip, quang khắc thường xuất hiện sau khi một lớp vật liệu mới đã được hình thành trên wafer. Lớp đó có thể là vật liệu cách điện, bán dẫn hoặc kim loại tùy giai đoạn sản xuất. Quang khắc giúp xác định phần nào của lớp vật liệu sẽ được giữ lại, phần nào sẽ được khắc bỏ hoặc vùng nào cần tiếp tục được xử lý.

Điều này có nghĩa quang khắc không phải một công đoạn chỉ thực hiện một lần. Một chip gồm nhiều lớp cấu trúc khác nhau, do đó wafer phải trải qua quá trình tạo lớp vật liệu và quang khắc nhiều lần. ASML cho biết ở các chip phức tạp, quá trình in mẫu có thể được lặp lại từ hàng chục đến hơn một trăm lần để xây các lớp chồng lên nhau. Quang khắc cũng liên kết trực tiếp với công đoạn tạo màng trước đó. Sau khi PVD, CVD hoặc ALD tạo lớp vật liệu mới, quang khắc xác định vùng cần xử lý trên lớp đó.

II. Photoresist là gì và tại sao quang khắc cần photoresist?

1. Photoresist là vật liệu nhạy sáng

Photoresist, có thể hiểu là vật liệu cản quang, là một vật liệu có tính chất hóa học thay đổi khi tiếp xúc với ánh sáng phù hợp. Trong sản xuất bán dẫn, photoresist thường ở dạng vật liệu lỏng và được phủ thành một lớp rất mỏng trên wafer. TOK mô tả photoresist là một loại nhựa nhạy sáng có phản ứng hóa học khi tiếp xúc với ánh sáng, còn JSR cho biết vật liệu này thường gồm polymer, thành phần nhạy sáng và dung môi.

Điểm đặc biệt của photoresist nằm ở chỗ ánh sáng không chỉ “chiếu hình” lên lớp vật liệu mà thực sự làm thay đổi tính chất hóa học của nó. Sau phơi sáng, vùng đã nhận ánh sáng và vùng chưa nhận ánh sáng sẽ phản ứng khác nhau với dung dịch hiện hình. Nhờ đó, một phần lớp cản quang có thể được loại bỏ có chọn lọc để tạo mẫu.

Có thể hình dung photoresist như một lớp mặt nạ tạm thời được tạo ngay trên wafer. Những vùng photoresist còn lại sau hiện hình sẽ bảo vệ lớp vật liệu phía dưới, còn những vùng đã mở cho phép công đoạn khắc, cấy ion hoặc xử lý khác tác động xuống bề mặt. Sau khi hoàn thành nhiệm vụ bảo vệ, lớp cản quang thường được loại bỏ để wafer tiếp tục sang bước tiếp theo.

Hình 1. Photoresist dương và photoresist âm

2. Photoresist dương và photoresist âm khác nhau thế nào?

Không phải mọi photoresist đều phản ứng với ánh sáng theo cùng một cách. Hai nhóm cơ bản là photoresist dương và photoresist âm, trong đó sự khác biệt nằm ở vùng nào được giữ lại sau phơi sáng và hiện hình.

Tiêu chí	Photoresist dương	Photoresist âm
Khi nhận ánh sáng	Vùng được chiếu sáng trở nên dễ hòa tan hơn	Vùng được chiếu sáng tạo liên kết và khó hòa tan hơn
Sau hiện hình	Vùng được chiếu sáng bị loại bỏ	Vùng được chiếu sáng được giữ lại
Phần còn trên wafer	Vùng không nhận ánh sáng	Vùng nhận ánh sáng
Vai trò cuối cùng	Tạo lớp bảo vệ theo mẫu cần xử lý	Tạo lớp bảo vệ theo mẫu cần xử lý

Có thể hiểu đơn giản rằng hai loại tạo ra kết quả “đảo ngược” nhau. Với photoresist dương, ánh sáng đánh dấu phần sẽ được loại bỏ; còn với photoresist âm, ánh sáng giúp phần được chiếu trở nên bền hơn và được giữ lại. Việc lựa chọn loại nào phụ thuộc vào công nghệ phơi sáng, kích thước cấu trúc, vật liệu và yêu cầu của từng quá trình.

Điều quan trọng là photoresist không chỉ cần phản ứng với ánh sáng. TOK chỉ ra rằng vật liệu còn phải đáp ứng các yêu cầu như độ nhạy, độ phân giải, độ nhám biên, khả năng chống lại quá trình khắc, độ bám trên bề mặt và độ tinh khiết. Đây là lý do photoresist được xem là một vật liệu công nghệ quan trọng chứ không đơn thuần là “lớp sơn nhạy sáng”.

III. Quy trình quang khắc diễn ra như thế nào?

Hình 2. Quy trình quang khắc diễn ra như thế nào?

1. Chuẩn bị bề mặt wafer

Trước khi phủ photoresist, bề mặt wafer cần đủ sạch và phù hợp để lớp cản quang có thể bám đồng đều. Bụi, cặn hóa chất hoặc độ ẩm còn lại trên bề mặt có thể ảnh hưởng đến độ bám, tạo điểm lỗi hoặc khiến chiều dày lớp phủ không đồng đều. Vì vậy, làm sạch và chuẩn bị bề mặt là bước mở đầu quan trọng của quá trình quang khắc.

Wafer ở giai đoạn này thường đã có một lớp vật liệu cần được định hình. Đó có thể là lớp oxide, nitride, kim loại hoặc một màng chức năng khác được hình thành từ công đoạn trước. Mục đích của quang khắc không phải xử lý ngay lớp vật liệu đó, mà trước hết tạo ra một lớp bảo vệ có mẫu chính xác phía trên nó.

2. Phủ photoresist lên wafer

Photoresist dạng lỏng thường được đưa lên tâm wafer rồi wafer quay với tốc độ được kiểm soát. Lực ly tâm làm vật liệu lan ra bề mặt và tạo thành một lớp mỏng tương đối đồng đều. TOK và JSR đều mô tả phủ quay là phương pháp điển hình để tạo lớp photoresist trong sản xuất bán dẫn.

Chiều dày của lớp cản quang không phải thông số tùy ý. Nó phải phù hợp với quá trình phơi sáng, kích thước mẫu và khả năng bảo vệ lớp phía dưới trong các công đoạn tiếp theo. Nếu lớp quá dày hoặc phân bố không đồng đều, việc tạo mẫu có thể trở nên khó kiểm soát; nhưng lớp quá mỏng cũng có thể không đủ khả năng bảo vệ trong bước khắc.

Trong phạm vi giải pháp bán dẫn hiện tại, PMAC tập trung vào chính phần chuẩn bị lớp cản quang này, từ vật liệu quang khắc đến công nghệ phủ photoresist. Cách tiếp cận này giúp vật liệu và quá trình tạo lớp được xem cùng nhau thay vì lựa chọn độc lập.

3. Sấy sơ bộ để ổn định lớp cản quang

Sau khi phủ, lớp photoresist vẫn chứa dung môi và chưa có trạng thái ổn định phù hợp để phơi sáng. Wafer vì vậy thường được sấy sơ bộ nhằm loại bớt dung môi, ổn định lớp màng và cải thiện khả năng bám trên bề mặt. Nhiệt độ và thời gian phải phù hợp với hệ vật liệu đang sử dụng vì chúng ảnh hưởng trực tiếp đến đặc tính của lớp cản quang.

Đây là một bước dễ bị bỏ qua khi giải thích quang khắc ở mức tổng quan. Tuy nhiên, nếu điều kiện sấy không ổn định, lớp cản quang có thể thay đổi về chiều dày, độ bám hoặc phản ứng trong bước phơi sáng và hiện hình sau đó. Vì vậy, thiết bị gia nhiệt là một phần của chuỗi xử lý photoresist chứ không đơn thuần chỉ làm khô lớp vật liệu.

PMAC hiện phát triển phần chuẩn bị lớp cản quang theo chuỗi vật liệu → phủ → xử lý nhiệt, trong đó thiết bị phủ và bàn gia nhiệt nằm cùng nhóm với vật liệu quang khắc.

4. Căn chỉnh và phơi sáng qua mặt nạ quang

Khi lớp cản quang đã ổn định, wafer được đưa vào hệ thống quang khắc. Một mặt nạ quang chứa mẫu của lớp mạch cần tạo, còn hệ quang học thu nhỏ và tập trung hình ảnh xuống wafer. ASML mô tả hệ thống quang khắc về bản chất là một hệ chiếu, trong đó ánh sáng mang thông tin của mẫu rồi được hội tụ lên lớp vật liệu nhạy sáng.

Đối với wafer đã có nhiều lớp, việc phơi sáng còn phải bảo đảm mẫu mới nằm đúng vị trí so với cấu trúc đã được tạo trước đó. Nếu hai lớp bị lệch nhau, dù từng mẫu riêng lẻ đều chính xác, cấu trúc cuối cùng vẫn có thể không hoạt động đúng. Do đó, khả năng căn chỉnh giữa các lớp là một yêu cầu quan trọng của quá trình quang khắc.

Khi ánh sáng tới photoresist, vùng được chiếu sẽ trải qua thay đổi hóa học. Chính thay đổi này tạo nên sự khác biệt về khả năng hòa tan giữa các vùng, chuẩn bị cho bước hiện hình tiếp theo. Photoresist vì vậy phải được thiết kế phù hợp với nguồn sáng đang sử dụng, thay vì một loại vật liệu có thể dùng giống nhau cho mọi hệ quang khắc. JSR hiện phân loại photoresist theo nhiều nguồn phơi sáng khác nhau như i-line, KrF, ArF và EUV.

5. Xử lý sau phơi sáng

Với một số hệ photoresist, đặc biệt các vật liệu có phản ứng hóa học được khuếch đại, wafer cần được xử lý nhiệt sau phơi sáng. Bước này giúp các phản ứng được khởi tạo bởi ánh sáng tiếp tục diễn ra trong lớp cản quang, từ đó tạo sự khác biệt đủ rõ giữa vùng đã phơi sáng và vùng chưa phơi sáng.

Không phải mọi photoresist đều có cùng điều kiện xử lý sau phơi sáng. Nhiệt độ, thời gian và trình tự phụ thuộc vào công thức vật liệu cũng như công nghệ quang khắc đang sử dụng. Vì vậy, trong sản xuất thực tế, chế độ nhiệt cần được xem là một phần của “công thức” quang khắc chứ không phải một thông số phụ.

6. Hiện hình để tạo mẫu photoresist

Sau phơi sáng và các bước nhiệt cần thiết, wafer được đưa qua hiện hình. Dung dịch hiện hình sẽ loại bỏ có chọn lọc phần photoresist có khả năng hòa tan cao hơn. Đối với cản quang dương, vùng đã nhận ánh sáng thường bị loại bỏ; với cản quang âm, vùng đã nhận ánh sáng được giữ lại.

Sau bước này, lớp cản quang không còn phủ kín toàn bộ wafer. Thay vào đó, nó tạo thành một mẫu gồm các vùng được che và các vùng bề mặt phía dưới đã được mở ra. Đây mới là kết quả thực sự mà quá trình quang khắc cần tạo ra.

Chất lượng của mẫu phụ thuộc đồng thời vào nhiều bước trước đó. Nếu lớp cản quang phủ không đồng đều, phơi sáng sai liều hoặc điều kiện hiện hình không phù hợp, kích thước và hình dạng cuối cùng có thể khác thiết kế ban đầu. Vì vậy, từng bước trong quang khắc phải được kiểm soát như một chuỗi liên tục.

7. Chuyển mẫu xuống lớp vật liệu phía dưới

Mẫu photoresist mới chỉ là một lớp bảo vệ tạm thời. Để cấu trúc thực sự xuất hiện trên wafer, các vùng đã mở phải tiếp tục được xử lý. Một ứng dụng phổ biến là khắc, trong đó vật liệu không được photoresist bảo vệ được loại bỏ để chuyển mẫu xuống lớp phía dưới.

Trong những trường hợp khác, mẫu photoresist có thể xác định vùng sẽ được cấy ion hoặc trải qua một quá trình xử lý khác. Vai trò của lớp cản quang vẫn giống nhau: bảo vệ những khu vực không được phép bị tác động, đồng thời để lộ chính xác khu vực cần xử lý.

Đây là mối liên hệ trực tiếp giữa quang khắc và công đoạn tiếp theo trong quy trình sản xuất chip. Trong hệ sinh thái PMAC, phần vật liệu và xử lý lớp cản quang có thể nối tiếp sang các giải pháp khắc, plasma, xử lý ướt hoặc cấy ion tùy yêu cầu của từng quy trình.

8. Loại bỏ photoresist sau khi hoàn thành nhiệm vụ

Sau khi mẫu đã được chuyển xuống lớp vật liệu hoặc vùng cần xử lý đã hoàn thành, phần photoresist còn lại thường không còn cần thiết. Nó được loại bỏ bằng hóa chất, plasma hoặc phương pháp phù hợp với vật liệu và cấu trúc bên dưới. TOK mô tả quá trình sản xuất theo chuỗi phủ photoresist → phơi sáng → hiện hình → khắc → loại bỏ photoresist, sau đó chu trình có thể tiếp tục cho lớp kế tiếp.

Wafer lúc này giữ lại cấu trúc vừa được tạo nhưng lớp “mặt nạ tạm thời” đã biến mất. Sau khi làm sạch, wafer có thể tiếp tục sang tạo màng, quang khắc hoặc một công đoạn khác tùy vị trí trong quy trình sản xuất.

Điều này giúp giải thích một đặc điểm quan trọng của photoresist: nó rất quan trọng trong việc tạo chip nhưng thường không trở thành một phần lâu dài của chip. Giá trị của photoresist nằm ở khả năng tạo chính xác mẫu xử lý rồi được loại bỏ sau khi hoàn thành nhiệm vụ.

IV. Chất lượng của quá trình quang khắc phụ thuộc vào những yếu tố nào?

Một lớp photoresist tốt trước hết phải tạo được màng có chiều dày và độ đồng đều phù hợp trên wafer. Độ bám với bề mặt cũng phải đủ để lớp cản quang không bị bong hoặc biến dạng trong quá trình hiện hình và khắc. Đồng thời, vật liệu cần có độ tinh khiết cao vì tạp chất có thể trở thành nguồn lỗi trong môi trường sản xuất bán dẫn.

Khi bước sang phơi sáng, độ chính xác lại phụ thuộc vào nguồn sáng, liều phơi, tiêu cự và khả năng căn chỉnh giữa các lớp. Một lớp cản quang có đặc tính tốt vẫn không thể tạo mẫu đúng nếu quá trình phơi sáng sai điều kiện. Ngược lại, hệ quang học chính xác cũng không thể bù hoàn toàn cho một lớp photoresist không đồng đều hoặc phản ứng không phù hợp.

Photoresist còn phải cân bằng giữa nhiều đặc tính cùng lúc. TOK nêu các yêu cầu quan trọng gồm độ nhạy, độ phân giải, độ nhám của đường biên, khả năng chống khắc, độ bám trên chất nền và độ tinh khiết. Một vật liệu rất nhạy với ánh sáng có thể giúp giảm thời gian phơi, nhưng vẫn cần duy trì khả năng tạo mẫu đủ chính xác và ổn định cho công đoạn phía sau.

Vì vậy, đánh giá quá trình quang khắc không nên chỉ dựa vào câu hỏi “photoresist có phản ứng với ánh sáng hay không”. Cần xem đồng thời lớp phủ được tạo ra thế nào, ánh sáng tác động ra sao, mẫu sau hiện hình có đúng không và lớp cản quang có đủ khả năng bảo vệ trong bước xử lý tiếp theo hay không.

V. DUV và EUV khác nhau gì trong quang khắc?

Khả năng tạo cấu trúc nhỏ phụ thuộc một phần quan trọng vào bước sóng của nguồn sáng. Nhìn chung, bước sóng ngắn hơn cho phép hệ thống quang khắc hướng tới các cấu trúc nhỏ hơn, dù độ phân giải thực tế còn phụ thuộc hệ quang học và nhiều yếu tố khác. ASML đã phát triển các thế hệ từ ánh sáng i-line 365 nm, DUV KrF 248 nm và ArF 193 nm đến EUV 13,5 nm.

DUV – tia cực tím sâu vẫn được sử dụng rộng rãi trong sản xuất nhiều loại chip và nhiều lớp khác nhau. Các hệ ArF sử dụng bước sóng 193 nm, trong khi những công nghệ như immersion giúp tăng khả năng phân giải mà không cần thay đổi bước sóng. EUV sử dụng ánh sáng 13,5 nm và được dùng cho những lớp có cấu trúc phức tạp nhất trên các chip tiên tiến.

Tuy nhiên, EUV không đơn giản thay thế toàn bộ DUV. Một chip có thể sử dụng nhiều công nghệ quang khắc khác nhau cho các lớp khác nhau, tùy kích thước cấu trúc và yêu cầu kinh tế. ASML cũng cho biết DUV và EUV sẽ tiếp tục được sử dụng song song, trong đó EUV tập trung vào những lớp cần độ phân giải cao nhất.

Sự thay đổi của nguồn sáng kéo theo yêu cầu thay đổi đối với photoresist. Vật liệu phải có khả năng phản ứng phù hợp với bước sóng và cơ chế phơi sáng đang sử dụng, đồng thời vẫn đáp ứng các yêu cầu về độ nhạy, độ phân giải và độ ổn định của mẫu. Đây là lý do thị trường photoresist được phân chia theo các thế hệ công nghệ như i-line, KrF, ArF và EUV thay vì sử dụng một loại chung cho tất cả.

Hinh 3. DUV và EUV trong quang khắc

VI. PMAC tham gia ở đâu trong quá trình quang khắc?

Trong phạm vi giải pháp bán dẫn hiện tại, PMAC tập trung vào phần chuẩn bị và xử lý lớp cản quang trước và sau bước phơi sáng. Trọng tâm không chỉ nằm ở vật liệu quang khắc mà còn ở khả năng tạo một lớp cản quang ổn định thông qua quá trình phủ và xử lý nhiệt. Vì vậy, vật liệu và thiết bị được xem như những thành phần của cùng một chuỗi công nghệ thay vì các sản phẩm tách biệt.

Sau khi mẫu đã hình thành, yêu cầu tiếp tục chuyển sang kiểm tra và xử lý lớp phía dưới. Đây là nơi quá trình quang khắc nối với những nhóm công nghệ khác trong hệ sinh thái PMAC như khắc khô, plasma, xử lý ướt, làm sạch và phân tích – đo lường. Hệ thống đo lường hiện có của PMAC trải từ kiểm tra chiều dày và bề mặt đến các công nghệ quang học và kiểm tra hình ảnh, cho phép lựa chọn phương pháp dựa trên thông số thực tế cần kiểm soát.

VII. Câu hỏi thường gặp về quang khắc và photoresist

1. Photolithography và lithography có khác nhau không?

Trong sản xuất bán dẫn, photolithography – quang khắc là dạng lithography sử dụng ánh sáng để truyền mẫu xuống photoresist. Trong nhiều tài liệu bán dẫn, từ “lithography” thường được dùng ngắn gọn để chỉ chính quá trình quang khắc. Tuy nhiên, xét rộng hơn, lithography còn có thể bao gồm những phương pháp tạo mẫu khác không nhất thiết sử dụng ánh sáng.

2. Photoresist có trở thành một phần của chip không?

Thông thường không. Photoresist đóng vai trò như một lớp bảo vệ tạm thời để xác định vùng được khắc, cấy ion hoặc xử lý. Sau khi mẫu đã được chuyển xuống lớp vật liệu phía dưới, phần photoresist còn lại thường được loại bỏ trước khi wafer chuyển sang công đoạn tiếp theo.

3. Vì sao photoresist phải được phủ thật đồng đều?

Chiều dày của lớp cản quang ảnh hưởng đến phơi sáng, hiện hình và khả năng bảo vệ bề mặt trong công đoạn phía sau. Nếu cùng một wafer có vùng quá dày và vùng quá mỏng, điều kiện tối ưu cho một vị trí có thể không còn phù hợp với vị trí khác. Vì vậy, khả năng tạo màng đều là một yêu cầu cơ bản của quá trình phủ photoresist.

4. Photoresist dương hay âm tốt hơn?

Không thể kết luận một loại luôn tốt hơn loại còn lại. Hai loại phản ứng khác nhau với ánh sáng và phù hợp với các yêu cầu tạo mẫu khác nhau. Việc lựa chọn cần dựa trên công nghệ phơi sáng, độ phân giải, cấu trúc cần tạo và công đoạn xử lý phía sau.

5. Quang khắc có trực tiếp khắc vật liệu trên wafer không?

Không. Quang khắc tạo ra mẫu trên lớp photoresist. Vật liệu phía dưới chỉ thực sự bị loại bỏ khi wafer chuyển sang công đoạn khắc hoặc được tác động bằng quá trình khác. Vì vậy, quang khắc xác định nơi cần xử lý, còn etching hay cấy ion thực hiện việc xử lý đó.

6. Vì sao quá trình quang khắc phải lặp lại nhiều lần?

Một chip gồm nhiều lớp vật liệu và mỗi lớp cần một mẫu riêng. Sau khi một lớp đã được tạo và xử lý, wafer tiếp tục nhận lớp mới rồi lại trải qua phủ photoresist, phơi sáng và hiện hình. ASML cho biết việc in mẫu có thể được lặp lại rất nhiều lần để xây toàn bộ cấu trúc của chip.

7. EUV có thay thế hoàn toàn DUV không?

Không. EUV được sử dụng cho những lớp tiên tiến cần tạo cấu trúc rất nhỏ, trong khi DUV vẫn phù hợp với nhiều lớp và nhiều loại chip khác. ASML xác định hai nhóm công nghệ này sẽ tiếp tục được sử dụng song song trong sản xuất bán dẫn.

VIII. Kết luận

Quang khắc (photolithography) là quá trình tạo một mẫu tạm thời trên wafer để xác định chính xác vị trí của những công đoạn xử lý tiếp theo. Photoresist đóng vai trò trung tâm trong quá trình này: nó phản ứng với ánh sáng, thay đổi khả năng hòa tan và sau hiện hình tạo thành lớp bảo vệ có hình dạng theo thiết kế.

Nhìn theo trình tự, quá trình có thể được hiểu đơn giản là: chuẩn bị wafer → phủ photoresist → sấy → phơi sáng → hiện hình → chuyển mẫu xuống lớp vật liệu → loại bỏ photoresist. Tuy nhiên, chất lượng cuối cùng phụ thuộc vào sự phối hợp của toàn bộ chuỗi, từ độ đồng đều của lớp cản quang và điều kiện phơi sáng đến hiện hình, khắc và đo kiểm sau quá trình.

Đối với PMAC, quang khắc cũng được tiếp cận theo logic này. Trọng tâm hiện tại nằm ở vật liệu và quá trình hình thành lớp cản quang, các bước xử lý nối tiếp và giải pháp đo lường liên quan, đồng thời kết nối với những công nghệ khác trong chuỗi chế tạo wafer.

Liên hệ PMAC để trao đổi về vật liệu quang khắc, giải pháp phủ – xử lý photoresist hoặc các công nghệ xử lý và đo lường liên quan trong sản xuất bán dẫn.